Keraaminen piikarbidilevy
Johdanto
Piikarbidikeramiikkalevy, jota käytetään yleisten posliinitavaroiden ja keraamisten tuotteiden polttamiseen (lämpötila alle 1 450 astetta), on valmistettu piioksidilla (Si2O3) sidotusta piikarbidista, ja sitä kutsutaan teknisesti nimellä "Oxide Bonded Silicon Carbide".
Tekninen parametri
Tyypillinen laatuanalyysi |
| Oksidisidottu |
SiC (O-SiC) | ||
Max. käyttölämpötila (astetta) | 1450 | |
Kemiallinen koostumusSiC ( prosenttia ) | 90 | |
Si02 | 8 | |
Näennäinen huokoisuus ( prosenttia ) | 7-8 | |
Bulkkitiheys (g/cm3) | 2.75 | |
Murtumismoduuli | 50 | |
RT (Mpa) | ||
1400 astetta | 55 | |
Lämpölaajeneminen | 4.2-4.8 | |
1000 asteessa (10-6K-1) | ||
Lämmönjohtokyky | 13.5-14.5 | |
1000 asteessa (W / mK) |
Tuotteen etu
Tällä tulenkestävällä piikarbidilla on erittäin korkea lämmönjohtavuus (lähes 10 kertaa korkeampi kuin tulenkestävä mulliitti) ja korkea pitkän aallonpituisen infrapunasäteilyn nopeus, mikä tuo erittäin korkean lämpötehokkuuden tuotteisiin.
Yleisten posliiniastioiden ja keraamisten tuotteiden polton kustannustehokkuuden kannalta tämä oksidisidottu piikarbidi on arvokkain ja sopivin tulenkestävä materiaali. SiC-levymme (O-SiC) suurin suositeltu käyttölämpötila on 1 450 astetta.
Tuotantolaitteet

Suositut Tagit: piikarbidi keraaminen levy, Kiina, valmistajat, toimittajat, tehdas, hinta
Pari
EiSeuraava
SiC-keraamiset hallitSaatat myös pitää
Lähetä kysely






