Teknisessä kypsyydessä laajakaistaisten puolijohdemateriaalien alalla piikarbidi on tämän materiaaliryhmän korkein ja on laajakaistaisten puolijohteiden ydin. SiC-materiaali on ryhmän IV-IV puolijohdeyhdiste, jolla on leveä kaistaväli (esim. 3,2 eV), suuri hajoava sähkökenttä (4 x 106 V / cm) ja korkea lämmönjohtavuus (4,9 W / cm.k) . Rakenteellisesti piikarbidimateriaali kuuluu pii-hiiliatomien tiiviisti pakattuun rakenteeseen, jota voidaan pitää piiatomien läheisenä järjestelynä, ja hiiliatomit vievät sen tetraedriset avoimet työpaikat; sitä voidaan pitää myös tetraedrisena vapautena, jossa hiiliatomit on tiiviisti pakattu ja piin osuus hiilestä. Suljetussa piikarbidimallisessa rakenteessa eri kidemuotoja tuotetaan yksisuuntaisen tiivistepakkauksen erotuksen avulla, ja noin 200 erilaista on löydetty. Yleisimmät sovellukset tällä hetkellä ovat 4H- ja 6H-kidemuodot. 4H-SiC soveltuu erityisen hyvin korkeataajuisten, korkean lämpötilan ja suuritehoisten laitteiden tuotantoon mikroelektroniikan alalla; 6H-SiC on erityisen sopiva optoelektroniikan kenttään täysvärinäytön aikaansaamiseksi.
SiC-tekniikan kehittyessä sen elektroniset laitteet ja piirit luovat vankan perustan järjestelmälle yllä olevien haasteiden ratkaisemiseksi. Siksi piikarbidimateriaalien kehitys vaikuttaa suoraan laajakaistavälitekniikan kehitykseen.
SiC-laitteilla ja -piireillä on ylivoimainen suorituskyky ja laajat sovellusmahdollisuudet, joten teollisuus on arvostellut niitä ja muodostanut periaatteessa kolmiosaisen tilanteen Yhdysvalloissa, Euroopassa ja Japanissa. Tällä hetkellä piikarbidimikrokiillotuslevyjen kaupallistamista toteuttavia kansainvälisiä yrityksiä ovat Cree, Bandgap, DowDcorning, II-VI, Instrinsic Yhdysvalloissa; Nippon ja Sixon Japanissa; ja Ommetic Suomessa; Saksa SiCrystal-yritys jne. Niiden joukossa Cree ja SiCrystalin markkinaosuus on yli 85%. Kaikista piikarbidivalmisteiden valmistajista Cree on Yhdysvaltain vahvin, ja sen piikarbidimikriteerimateriaalien tekninen taso voi edustaa kansainvälistä tasoa. Asiantuntijat ennustavat, että Cree ottaa johtoaseman myös piikarbidisubstraatimarkkinoilla tulevina vuosina. . https://www.hshightec.com/
